BSS119E6327參數：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
類別：分立半導體產品-FET - 單產品變化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008標準包裝：3,000系列：SIPMOS®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：170mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6歐姆@170mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.3V@50µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.5nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：78pF@25V功率-最大值：360mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：PG-SOT23-3
